(h1)先端ロジック半導体向け3次元非破壊計測技術開発「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業/先端半導体製造技術の開発(助成)」

上限金額・助成額※公募要領を確認
経費補助率 50%

【補助詳細】
提案 1 件当たりの初回ステージゲート審査までの提案時助成費は、原則として18 億円以下とする。
(うち、NEDO 負担率:1/2)

【対象経費】
I. 機械装置等費
II. 労務費
III. その他経費(消耗品費、旅費、外注費、諸経費)
IV. 委託費・共同研究費


国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)
大企業,中堅企業,中小企業者,小規模企業者
(h1)先端ロジック半導体向け3次元非破壊計測技術開発

<開発対象>
・先端半導体の微細かつ複雑な構造を高精度かつ高速に測定可能な非破壊計測・分析※技術
開発
※ 集束イオンビーム装置などにより分析面を露出させずに行う計測・分析のこと(計測・分析前にウエハをチップ単位に分割することは妨げない。)

<開発目標> 1.0nm ノード※1の先端ロジック半導体におけるチャネル結晶の歪み、ゲート
絶縁膜の品質、微細配線の形状・組成に係る非破壊計測・分析技術を開発する。

(チャネル結晶歪みの分析)
トランジスタ毎に独立に歪み量を分析するため、以下を同時に満たす非破壊計測・分析技
術を開発する。
・面内分解能がチャネルピッチ※2の半分以下
・歪み分解能が 0.1%以下

(ゲート絶縁膜品質の分析)
複数の絶縁膜が積層された構造において、元素組成やポテンシャルといった膜品質情報
を深さ方向で取得することが重要であるが、従来の一般的な分析手法では表層の情報しか
取得できず、膜品質の変質が懸念されることから、以下を満たす非破壊計測・分析技術を
開発する。
・複数の絶縁膜を積層した構造において深さ分解能が 1nm 以下

(微細配線の形状・組成の分析)
従来の方法では走査型電子顕微鏡(SEM)や透過型電子顕微鏡(TEM)を使用するが、広
範囲の中から不良個所を特定した上での分析は不可能であることから、以下2種の非破壊
計測・分析技術((1)及び(2))を開発する。
(1)以下を同時に満たす、配線故障のため形状分析技術:
・空間分解能は最小配線ピッチの 1/4 以下
・裏面電源供給網(BSPDN)を含む全配線層の配線分析を行うため、測定領域 10um x
10um x 30um(厚さ)以上
(2)以下を同時に満たす、微細領域に形成した配線金属の組成分析技術:
・空間分解能は最小配線ピッチ以下
・BSPDN を含む全配線層の配線分析を行うため、測定領域 10um x 10um x 30um(厚さ)以上

2025/08/04
2025/09/10
【助成対象事業者】
i. 助成事業を的確に遂行するに足る技術的能力を有すること。
ii. 助成事業を的確に遂行するのに必要な費用のうち、自己負担分の調達に関し十分な経理的基礎を有すること。
iii. 助成事業に係る経理その他の事務について的確な管理体制及び処理能力を有すること。
iv. 当該助成事業者が遂行する助成事業が、別途定める基本計画を達成するために十分に有効な研究開発を行うものであること。
v. 当該助成事業者が助成事業に係る事業化に対する具体的計画を有し、その実施に
必要な能力を有すること。
vi. 本邦の企業・大学等で日本国内に研究開発拠点を有していること。なお、国外の企業・大学等(研究機関を含む)の特別な研究開発能力、研究施設等の活用又は国際標準獲得の観点から国外の企業・大学等との連携が必要な場合は、国外の企業・大学等も参画する形で実施することができる。
vii. 当該助成事業者が助成事業を国際連携による共同研究案件として実施することを目指している場合は、連携する国外の企業等(助成対象事業者には含まない)と共同研究にかかる契約・協定等を締結すること(又は連携の具体的予定を示すこと)ができること。また、知財権の取扱いを適切に交渉、管理する能力を有す
ること。

【助成対象事業】
助成事業として次の要件を満たすことが必要です。
i. 助成事業が、研究開発計画に記載された内容の実用化開発を行うものであること。
ii. 助成事業終了後直ちに実用化を目指す上での開発計画、投資計画、実用化能力の説明を行うこと(提案書の添付資料 2「事業化計画書」中に記載してください。)。
iii. 助成事業終了後、本事業の実施により、国内生産・雇用、輸出、内外ライセンス収入、国内生産波及・誘発効果、国民の利便性向上等、様々な形態を通じ、我が国の経済に如何に貢献するかについて、バックデータ※も含め、具体的に説明すること(提案書の添付資料 1「助成事業実施計画書」の「1.(1)③事業による効果」中に記載してください。)(我が国産業の競争力強化及び新規産業創出・新規企業促進への波及効果の大きな提案を優先的に採択します。)。
※バックデータ:上記の基礎となる主要な事項(背景、数値等)
iv. なお、当該助成事業終了後、追跡調査や特許等の取得状況及び事業化状況調査にご協力いただく場合があります。
v. 助成事業の事務処理については、NEDO が提示する事務処理マニュアルに基づき実施すること。

2025 年 9 月 10 日:公募締切
2025 年 10 月上旬(予定)※:一次採択審査委員会(商務情報政策局)
2025 年 10 月上旬(予定)※:二次採択審査委員会(NEDO)
2025 年 10 月下旬(予定)※:契約・助成審査委員会(NEDO)
2025 年 10 月下旬(予定)※:採択先決定
2025 年 10 月下旬(予定)※:ウェブサイトに公表
2025 年 12 月下旬(予定)※:交付決定
※採択審査委員会の日程により前後に変動の可能性あり。

半導体・情報インフラ部 ポスト5G室担当者:藤井、佐藤、岩脇、鈴木E-MAIL:post5G_koubo2[at]ml.nedo.go.jp([at]を@に変えてください)

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