全国：経済安全保障重要技術育成プログラム／高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発
2023年12月25日
上限金額・助成額※公募要領を確認
経費補助率
50％
経済安全保障の確保・強化の観点から、我が国が支援対象とすべき重要技術の研究開発を進めることとしている「経済安全保障重要技術育成プログラム」の一環として、NEDOは「高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発」を実施します。
国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
研究開発項目（1）β-Ga2O3ウエハ、パワーデバイス及びパワーモジュールの開発
β-Ga2O3について、実用を見据えたサイズ・品質・コストでウエハを生産する技術を開発します。さらにそのウエハを用い、高電圧帯での使用を想定したパワーデバイス・モジュールの開発を行います。
研究開発項目（2）GaN-on-GaNウエハ及び高周波デバイスの開発
GaNの同一ウエハ（GaN-on-GaN）について、実用を見据えたサイズ・品質・コストで生産する技術を開発します。さらにそのウエハを用い、高電圧帯での使用を想定した高周波デバイスの開発を行います。
2023/12/18
2023/01/26
応募資格のある法人は、次の(1)～(7)までの条件、運用・評価指針及び研究開発構想に示された条件を満たす、単独又は複数で受託を希望する企業等とします。
(1) 当該技術又は関連技術の研究開発の実績を有し、かつ、研究開発目標達成及び研究計画遂行に必要となる組織、人員等を有していること。 (2) 委託業務を円滑に遂行するために必要な経営基盤、資金及び設備等の十分な管理能力を有し、かつ、安全管理措置が十分とられていること。 (3) ＮＥＤＯがプロジェクトを推進する上で必要とする措置を、委託契約に基づき適切に遂行できる体制を有していること。 (4) 企業等がプロジェクトに応募する場合は、当該プロジェクトの研究開発成果の実用化・事業化計画の立案とその実現について十分な能力を有していること。 (5) 研究組合、公益法人等が応募する場合は、参画する各企業等が当該プロジェクトの研究開発成果の実用化・事業化計画の立案とその実現について十分な能力を有するとともに、応募する研究組合等とそこに参画する企業等の責任と役割が明確化されていること。 (6) 複数の企業等が共同してプロジェクトに応募する場合は、実用化・事業化に向けた各企業等間の責任と役割が明確化されていること。 (7) 研究開発責任者の所属する機関は、国内に研究開発拠点を有し、日本の法律に基づく法人格を有している機関とする。また、研究開発責任者及び主たる研究分担者は日本の居住者であることとする。（ここで言う居住者とは、外国為替及び外国貿易法（昭和24年法律第228号）（以下「外為法」という。）の居住者（特定類型該当者を除く）であること。）
必ず受付期間内にWeb入力フォームから必要情報の入力と提案書類及び関連資料のアップロードを行ってください。
その他の方法（持参･郵送･FAX･メール等）による応募は受け付けません。
※府省共通研究開発管理システム（e-Rad）に提案内容等を登録する必要があります。
IoT推進部 担当者：Kプロ ガリウム系半導体事務局 E-MAIL：kpro_ga_semicon@nedo.go.jp
経済安全保障の確保・強化の観点から、我が国が支援対象とすべき重要技術の研究開発を進めることとしている「経済安全保障重要技術育成プログラム」の一環として、NEDOは「高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発」を実施します。
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